TSM200N03DPQ33 RGG
/MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
TSM200N03DPQ33 RGG的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PDFN33-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:20 A
Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:4.1 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:20 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
晶体管类型:Dual N-Channel PowerMOSFET
商标:Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值:13 S
下降时间:4.6 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:7.2 ns
工厂包装数量:5000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:15.8 ns
典型接通延迟时间:2.8 ns
TSM200N03DPQ33 RGG
TSM200N03DPQ33 RGG的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | TSM200N03DPQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN | $1.28000 |
 Mouser 贸泽电子 | TSM200N03DPQ33 RGG | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A | 1:¥4.9155 10:¥4.2262 100:¥3.1414 500:¥2.3052 5,000:¥1.4803 10,000:查看
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