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TSM200N03DPQ33 RGG /MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A
TSM200N03DPQ33 RGG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PDFN33-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:4.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:20 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:Dual N-Channel PowerMOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:13 S

下降时间:4.6 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:7.2 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15.8 ns

典型接通延迟时间:2.8 ns

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TSM200N03DPQ33 RGGTaiwan SemiconductorMOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A1:¥4.9155
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